МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛИВИНИЛОВОГО СПИРТА. ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ СЕРЕБРА, ЭЛЕКТРОННОЙ И ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ

DOI 10.31554/978-5-7925-0524-7-2018-178-184

МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛИВИНИЛОВОГО СПИРТА. ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ СЕРЕБРА, ЭЛЕКТРОННОЙ И ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ

О.А. Лапуть1,3, И.В. Васенина2,3, К.П. Савкин2, Д.А. Зуза3, И.А. Курзина3

1 Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Россия, 634050, Томск
2 Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук
Россия, 634055, Томск
3 Национальный исследовательский Томский государственный университет
Россия, 634050, Томск
e-mail: olesyalaput@gmail.com

Представляются результаты исследования физико-химических свойств поливинилового спирта в исходном состоянии и после модификации поверхности ионами серебра, облучением электронным пучком и потоками низкотемпературной плазмы. Имплантация ионов серебра производились с применением ионного источника Mevva-V.Ru на основе вакуумного дугового разряда до достижения экспозиционных доз 1·1014, 1·1015 и 1·1016 ион/см2 при ускоряющем напряжении 20 кВ и энергии имплантируемых ионов 40 кэВ. Обработку электронным пучком проводили на форвакуумном импульсном плазменном источнике электронов серией из 10 импульсов длительностью от 100  до 300 мкс с шагом 50  мкс при ускоряющем  напряжении 8 кВ. Плазменную обработку осуществляли с помощью уникального генератора низкотемпературной атмосферной плазмы  на основе тлеющего разряда  при вариации длительности импульса – 1 и 5 мкс. Исследованы поверхностные свойства образцов ПВС, такие как химический состав, смачиваемость, микротвердость, удельное сопротивление. Показано, что ионно-плазменная обработка приводит к окислению приповерхностных слоев ПВС. После энергетического воздействия выявлено увеличение смачиваемости поверхности, а также снижение микротвердости при всех методах обработки. Показано, что обработка поливинилового спирта электронным пучком способствует увеличению доли свободных электронов и, следовательно, повышению электропроводности.