ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ МОДУЛЯЦИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА В ДИОДЕ С ПЛАЗМОНАПОЛНЕННОЙ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ

DOI 10.31554/978-5-7925-0655-8-2023-123-132

ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ МОДУЛЯЦИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА В ДИОДЕ С ПЛАЗМОНАПОЛНЕННОЙ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ

Бугаев А. С.1, Гушенец В. И.1, Окс Е. М.1, 2, Шандриков М. В.1
1 Институт сильноточной электроники СО РАН (ИСЭ СО РАН)
634055, Томск, пр. Академический 2/3, Россия
E-mail: oks@opee.hcei.tsc.ru
2 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)
634050, Томск, пр. Ленина 40, Россия

В работе представлены результаты экспериментальных исследований по формированию предмодулированного электронного пучка в плазмонаполненном диоде. Плазмонаполненный диод состоит из плазменного катода с сеточной стабилизацией эмитирующей электроны поверхностью и плазменного анода с открытой и потому подвижной границей плазмы. На основе анализа результатов исследования описан возможный меха­низм возникновения высокочастотных колебаний в электронном токе, а также рассматриваются способы по­давления самопроизвольной модуляции тока.