DOI 10.31554/978-5-7925-0655-8-2023-166-174
СИНТЕЗ ТОНКИХ ПЛЕНОК МGАL2О4 РЕАКЦИОННЫМ ИСПАРЕНИЕМ AL И MG
Гаврилов Н. В., Емлин Д. Р., Медведев А. И.
Институт электрофизики УрО РАН (ИЭФ УрО РАН)
620016, Екатеринбург, ул. Амундсена, 106, Россия
E-mail: erd@iep.uran.ru
Исследованы условия получения тонких пленок алюмомагниевой шпинели MgAl2O4 методом анодного испарения Al и Mg из отдельных тиглей в Ar/O2 смеси (0,7-1,2 Па). Ток разряда с полым самонакаливаемым катодом распределялся между анодом (10-30 А), тиглем с магнием (0,8-1,6 А) и тиглем с алюминием (4-16 А). Определены условия снижения скорости окисления поверхности испаряемого магния и стабилизации процесса испарения Mg. Температура кристаллизации шпинели в условиях бомбардировки растущей пленки ионами с энергией 100 эВ при плотности тока 2 мА/см2 составила ~ 380-400 Исследованы условия получения тонких пленок алюмомагниевой шпинели MgAl2O4 методом анодного испарения Al и Mg из отдельных тиглей в Ar/O2 смеси (0,7-1,2 Па). Ток разряда с полым самонакаливаемым катодом распределялся между анодом (10-30 А), тиглем с магнием (0,8-1,6 А) и тиглем с алюминием (4-16 А). Определены условия снижения скорости окисления поверхности испаряемого магния и стабилизации процесса испарения Mg. Температура кристаллизации шпинели в условиях бомбардировки растущей пленки ионами с энергией 100 эВ при плотности тока 2 мА/см2 составила ~ 380-400 оС.
