DOI 10.31554/978-5-7925-0655-8-2023-217-223
ПОЛУЧЕНИЕ GD2O3 ПОКРЫТИЙ РЕАКЦИОННЫМ АНОДНЫМ ИСПАРЕНИЕМ В ДУГЕ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ
Каменецких А. С., Гаврилов Н. В., Чукин А. В.
Институт электрофизики УрО РАН (ИЭФ УрО РАН)
620016, Екатеринбург, ул. Амундсена, 106, Россия
E-mail: alx@iep.uran.ru
Реакционным анодным испарением Gd в дуге низкого давления с самонакаливаемым полым катодом получены Gd2O3 покрытия со скоростью ~1,6 мкм/ч. Исследован состав газо-металлической (Ar/O2-Gd) плазмы и структурно-фазовое состояние Gd2O3 покрытий, осаждавшихся в диапазоне температур 150-600 °С. Показано, что в условиях анодного испарения в дуге достигается степень ионизации Gd~90 % и степень диссоциации O2~13 %, что позволяет получать однофазные (кубические) покрытия Gd2O3 толщиной ~1 мкм с низким уровнем внутренних напряжений (~0,1 ГПа) при температуре 150 °C.
