ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ И ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ГОРЕНИЯ РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ В ЭЛЕКТРОДНОЙ СИСТЕМЕ СЕТОЧНОГО ПЛАЗМЕННОГО ЭМИТТЕРА ИМПУЛЬСНОГО ИСТОЧНИКА ЭЛЕКТРОНОВ

DOI 10.30792/978-5-7925-0684-8-2026-41-46

ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ И ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ГОРЕНИЯ РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ В ЭЛЕКТРОДНОЙ СИСТЕМЕ СЕТОЧНОГО ПЛАЗМЕННОГО ЭМИТТЕРА ИМПУЛЬСНОГО ИСТОЧНИКА ЭЛЕКТРОНОВ

Коваль Т. В., Картавцов Р. А., Воробьев М. С., Коваль Н. Н., Дорошкевич С. Ю., Горьковская Д. А.

Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
634055, г. Томск, пр. Академический 2/3, Россия
E-mail: tvkoval@mail.ru

Проведен теоретический анализ и численное моделирование процессов генерации эмиссионной плазмы и эмиссии электронов в электродной системе сеточного плазменного эмиттера, работающего как в режиме полого анода, так и в режиме полого катода. Показано, что обратный поток ионов из ускоряющего промежутка может существенным образом влиять на эмиссионные характеристики сеточного плазменного эмиттера. Проведены расчеты динамики тока пучка в режиме интенсивного испарения коллектора субмиллисекундным электронным пучком для трех конфигураций электродной системы плазменного эмиттера и показано их согласие с экспериментом. Проведенный анализ полезен для конструирования эффективных электронных источников с сеточным плазменным эмиттером, работающих в реальных условиях технологических процессов модификации материалов и изделий.